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sábado, 7 de julio de 2012

Alejandro León - Samsung desarrolla nueva memoria DRAM DDR4 más rápida

SEUL - Samsung Electronics, líder mundial en fabricación de chips, ha desarrollado la industria de los primeros 30 nanómetros de clase Double Data Rate 4 módulos DRAM.

El módulo de chips de memoria, que se utiliza para los servidores empresariales y soluciones de controlador, puede transferir datos a una velocidad de 4 Gigabits por segundo, dijo la compañía.

Características de la Tarjeta DRAM DDR4 de Samsung (sujetas a cambio).

  • Transferencia de datos de hasta 4 gigabits por segundo.
  • Fabricado con tecnología de 30 nanómetros.
  • Ahorro del 40% de energía frente a modelos anteriores.

Toda esta información fue revelada por el Vicepresidente Ejecutivo de Samsung, Hong Wan-hoon, a través del diario internacional China Post que se publicó este viernes.

El nuevo DRAM DDR4 marca el tercio de Samsung Electronics para ofrecer en el módulo de forma eficiente después de la DDR4 con la tecnología de procesamiento de 30 nm de clase a una velocidad de 2 gigabits por segundo desarrollado en diciembre de 2010. El mes pasado, el gigante de la tecnología hicieron de gama alta de 16 GB y 8 GB DDR4 registrada módulos duales de memoria en línea para los responsables de la CPU y el controlador.

Samsung Electronics planea buscar la normalización del módulo nuevo chip con el Programa Conjunto de Dispositivos de Electrones Consejo de Ingeniería en algún momento en agosto de este año, y comenzará la producción masiva de 32GB registrados módulos duales de memoria en línea pronto.

La compañía ha indicado que está en el proceso de desarrollo de alta eficiencia chips DRAM verdes de memoria para los mercados globales en línea con los esfuerzos para revivir su negocio de chips, que tuvo un desempeño deslucido en el primer trimestre de este año debido a factores estacionales.

Ganancias de su unidad de chips de operación cayó 54 por ciento a 760 billones ganados en el primer trimestre, según los estados financieros.

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